深圳市龍翔電子有限公司生產(chǎn)銷售的場效應(yīng)管主要可用于電子電路,是在音響領(lǐng)域更占一席之地,場效應(yīng)管與晶體管不同,它是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件),其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小.場效應(yīng)管分結(jié)型、緣柵型(MOS)兩大類。按溝道材料型和緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和緣柵場效應(yīng)管（MOS管）場效應(yīng)管的主要作用:

1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻很高，因此耦合電容可以容量較小，不使用電解電容器。

　　2.場效應(yīng)管很高的輸入阻適合作阻變換。常用于多級放大器的輸入級作阻變換。

　　3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

　　4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

場效應(yīng)管的工作原理如下:

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏-源間流經(jīng)溝道的ID，用以門與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的門電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓?/span>

大，根據(jù)漏-源間所加VDS的電場，源區(qū)域的某些電子被漏拉去，即從漏向源有電流ID流動(dòng)。從門向漏擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏-源間的電場，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏與門下部附近，由于漂移電場拉去的電子通過過渡層。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源的很短部分，這更使電流不能流通。

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