操作原理


MOSFET的：金屬—氧化層—半導體電容
金屬—氧化層—半導體結構MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基的硅，而其上則是作為柵的多晶硅。這樣子的結構正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數（dielectric constant）來決定。柵多晶硅與基的硅則成為MOS電容的兩個端點。
當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分布也會跟著改變。考慮一個P型的半導體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容，當一個正的電壓VGB施加在柵與基端（如圖）時，空穴的濃度會減少，電子的濃度會增加。當VGB夠強時，接近柵端的電子濃度會過空穴。這個在P型半導體中，電子濃度（帶負電荷）過空穴（帶正電荷）濃度的區域，便是所謂的反轉層（inversion layer）。
MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個完整的MOSFET結構還需要一個提供多數載流子（majority carrier）的源以及接受這些多數載流子的漏。
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